هموطن آنلاين - دو شرکت اينتل و Micron Technology اعلام کردند به فناوري جديدي دست يافته اند که سرعت قرائت اطلاعات از روي حافظه هاي رايانه اي و به خصوص حافظه هاي فلاش را به ميزان قابل توجهي و بعضا تا 500 درصد افزايش مي دهد.
با استفاده از اين فناوري سرعت قرائت اطلاعات ذخيره شده به 200 مگابايت بر ثانيه و سرعت نگارش اطلاعات به 100 مگابايت در ثانيه مي رسد.
در حال حاضر اين دو سرعت به ترتيب به حداکثر 40 و 20 مگابايت در ثانيه مي رسد.
هنوز مشخص نيست بهره برداري تجاري از فناوري مذکور چه زماني ممکن مي شود، اما بدون شک اين اختراع صنعت توليدات چندرسانه اي را دگرگون خواهد کرد.